新能源汽車、5G手機 第三代半導體的“春天”
發布日期:2022-12-13
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熱導率、高電子密度、高遷移率等特點,因此被業內譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”以及光電子和微電子等產業的“新發動機”。目前發展較好的寬禁帶半導體主要是SiC和GaN。
根據IHS IMS Research的報告顯示,在未來十年,受到電源,太陽光電(PV)逆變器以及工業馬達的需求驅動,新興的SiC和GaN功率半導體市場將以18%的速度穩步成長,預計在2022年以前,SiC和GaN功率元件的全球銷售額將從2012年的1.43億美元大幅增加到28億美元。
由于電動汽車和自動駕駛是驅動汽車市場向前發展的兩大驅動因素。在汽車當中有三大應用是與電源相關的,即充電器、DC-DC轉換器和牽引逆變器。在這三大用途中,牽引逆變器是目前為止可以從GaN和SiC技術中受益最多的。因為使用GaN和SiC器件后,可以減輕汽車的重量,提高能效,讓電動汽車能夠行駛更遠距離,同時可以使用更小的電池和冷卻系統。
新能源電動汽車在近幾年發展的推動下,SiC功率器件的需求是一路猛增。據Yole統計,2017年SiC功率器件業務達到3.02億美元,較2016年的2.48億美元增長22%。采用了SiC MOSFET模塊的特斯拉Model 3實現了產能增長,Yole估計,到2023年,SiC功率半導體市場將達到15億美元。